1. 序論：2026年1月の地政学的転換点

1.1 危機の発端と経緯

2025年後半から急速に悪化した日中関係は、2026年初頭に決定的な局面を迎えました。高市早苗首相が、台湾海峡における有事の際に自衛隊が米軍と連携して介入する可能性を示唆した発言に対し、中国政府は激しく反発しました。中国外務省はこれを「内政干渉」と断じ、相応の報復措置を示唆していましたが、2026年1月6日、中国商務部は突如として対日輸出管理の強化を発表しました。

この措置は、中国の「輸出管理法」に基づき、日本の軍事的能力の強化に資する恐れのあるすべてのデュアルユース品目の輸出を禁止するというものであり、特定の品目を明示していないものの、実質的にはレアアース（希土類）、ガリウム、ゲルマニウム、黒鉛といった重要鉱物がターゲットになっているとの見方が支配的です。これは、2010年の尖閣諸島漁船衝突事件時のレアアース輸出停止措置を想起させますが、今回は法的な枠組み（輸出管理法）を用いたより体系的かつ長期的な制裁スキームであることが特徴です。

1.2 グローバルな不安定要因

この日中間の緊張激化は、孤立した事象ではありません。2026年1月、米国はベネズエラに対して「アブソリュート・リゾルブ作戦 (Operation Absolute Resolve)」と称する軍事介入を開始しており、米国の安全保障リソースが西半球に集中しています。この米国の「注意の空白」が、中国に対して対日強硬策を採る機会を与えた可能性があります。また、世界的な半導体メモリ市場における供給不足と価格高騰も相まって、ハイテクサプライチェーンは極度の緊張状態にあります。

1.3 本報告書の目的と問い

本報告書は、読者から提起された以下の問いに答えることを目的とします。

「この中国のレアアース等の輸出規制に対して、日本のフォトレジスト対中輸出規制を実施する場合、効果的対応になるか？」

この問いに答えるためには、単に「輸出を止めたらどうなるか」という一次的な影響だけでなく、中国側の代替調達能力、日本側の経済的損失、そして米国やオランダといった同盟国の動向を含めた複合的な分析が必要不可欠です。特に、フォトレジストという製品が持つ「技術的特殊性 (Technical Specificity)」と「時間的制約 (Temporal Constraint)」が、戦略的レバレッジとしてどのように機能するかを解明します。

2. 戦略的資産としてのフォトレジスト：日本の圧倒的優位性

フォトレジスト（感光性樹脂）は、半導体製造のリソグラフィ（露光）工程において不可欠な材料です。シリコンウェハ上に回路パターンを転写するための「フィルム」の役割を果たし、その品質が最終的なチップの歩留まりと性能を決定づけます。日本はこの分野において、世界でも類を見ない独占的な地位を築いています。

2.1 市場シェア構造と日本の独占

2025年時点において、日本の化学メーカーは世界のフォトレジスト市場全体の約70～80%を占有していますが、より重要なのは「技術ノード別」のシェアです。半導体の微細化が進めば進むほど、日本企業のシェアは高まり、代替が不可能になるという構造を持ちます。

出所：TrendForce, GM Insights等を基に作成

特筆すべきは、現在の半導体製造の主力であるArF液浸レジストと、次世代プロセスに不可欠なEUVレジストにおける日本の圧倒的支配力です。ArF液浸は、7nmから45nmのロジック半導体や先端DRAMの製造に使用され、EUVは5nm以下の最先端ロジックやDRAMに使用されます。これらの領域において、中国の対日依存度は極めて高く、特にEUV用レジストに関しては事実上100%を日本企業に依存しているとの報告があります。

2.2 技術的障壁と「すり合わせ」の重要性

なぜ他国（特に中国）はフォトレジストを容易にコピーできないのか。それは、フォトレジストが単なる化学物質ではなく、露光装置（ステッパー/スキャナー）やプロセス条件に合わせて極限までカスタマイズされた「すり合わせ技術」の結晶だからです。

• 配合の複雑性: 高性能レジストは、ベースとなるポリマー、感光剤 (PAG)、クエンチャー、溶剤など数十種類の成分から構成され、その配合比率は各メーカーの極秘ノウハウです。JSRや東京応化工業は、数十年蓄積したデータと知見を有しています。
• 原材料の支配: レジストの製造に必要な高純度ポリマーやモノマーといった上流の原材料市場においても、日本企業（信越化学、丸善石油化学、大阪有機化学工業など）が高いシェアを持っています。つまり、中国企業がレジストの配合を模倣しようとしても、その「材料の材料」を入手すること自体が困難です。
• 装置との親和性: 世界の露光装置市場はASML（オランダ）、キヤノン（日本）、ニコン（日本）が支配しており、これらの装置メーカーと日本のレジストメーカーは開発段階から緊密に連携しています。中国の新規参入企業がこのエコシステムに入り込む障壁は極めて高いです。

2.3 決定的な脆弱性：備蓄不可能性（シェルフライフ）

レアアースと比較した際のフォトレジストの最大の戦略的特質は、その「保存の効かなさ (Perishability)」にあります。

• 短い有効期限: ArFやEUVなどの先端レジストは化学的に非常に敏感であり、製造後3ヶ月から6ヶ月で性能が劣化します。また、厳密な温度管理（冷蔵・冷凍）が必要であり、輸送・保管の難易度が高いです。
• 戦略的意味: これは、中国がフォトレジストを長期間備蓄することが物理的に不可能であることを意味します。日本が輸出を停止すれば、中国の半導体工場（ファブ）は、手持ちの在庫（通常1～2ヶ月分）が尽きた時点で即座に生産停止に追い込まれます。

これに対し、レアアース等の鉱物資源は、物理的・化学的に安定しており、数年単位での備蓄が可能です。日本は2010年の危機以降、JOGMECを通じてレアアースの戦略備蓄を進めており、供給途絶に対する一定の時間的耐久力を持っています。この「時間的非対称性」こそが、日本のフォトレジスト規制を強力なカウンターパンチたらしめる要因です。

3. 中国半導体産業への打撃：具体シナリオ分析

仮に日本がArFおよびEUVフォトレジストの対中輸出を、外為法に基づく「キャッチオール規制」や個別許可品目への格上げによって制限した場合、中国の半導体産業にどのような具体的影響が生じるかを分析します。

3.1 ターゲットとなる主要企業とプロセス

影響は、中国の「国家チャンピオン」級の半導体メーカーに集中します。

1. SMIC（中芯国際集成電路製造）

• 現状: SMICは米国の制裁下にあっても、DUV（深紫外線）露光装置を用いたマルチパターニング技術を駆使し、7nmおよび5nmプロセスのチップ（HuaweiのKirin 9000S等）を製造しています。
• 依存: このマルチパターニング技術は、露光回数が多いため、フォトレジストの消費量が激増するプロセスです。SMICの7nm/5nmプロセスは、高品質な日本のArF液浸レジストに完全に依存しています。
• 影響: ArFレジストの供給が途絶えれば、SMICの先端ロジック生産ラインは稼働不能となります。2021年に信越化学の供給能力不足が生じた際、SMICの生産効率が20%低下した事例がありますが、全面禁輸の場合は効率低下ではなく「生産ゼロ」となります。

2. YMTC（長江存儲科技）

• 現状: YMTCは独自の「Xtacking」技術により、世界最先端レベルの232層以上の3D NANDフラッシュメモリを製造しています。
• 依存: 高積層3D NANDの製造には、微細なメモリホール加工や階段加工において高度なKrFおよびArFレジストが必要不可欠です。
• 影響: レジスト不足は、YMTCの生産歩留まりを劇的に悪化させます。世界のメモリ市場においてYMTCが供給不全に陥れば、競合（日米韓）にシェアを奪回されるだけでなく、中国国内へのメモリ供給も滞ります。

3. CXMT（長江メモリ）

• 現状: 中国のDRAM主要メーカーであり、10nm台 (1y, 1z nm) プロセスの量産を進めています。
• 影響: 微細化が進むDRAM製造においてもArF液浸レジストは必須であり、供給停止はDRAM自給率向上計画を直撃します。

3.2 2026年の市場環境におけるインパクト

2026年は、AI需要の急増やメモリ市場の需給逼迫により、半導体サプライチェーンが極めてタイトな状況にあります。このような状況下での生産停止は、中国企業にとって「機会損失」にとどまらず、顧客からの信頼喪失や市場からの退場を意味しかねません。特に、Huawei等の中国ハイテク企業は、AI開発競争において米国勢に追いつくためにSMIC製チップを渇望しており、その供給源が断たれることは国家安全保障上の致命傷となります。

4. 中国の対抗策と代替可能性の検証

日本が規制を発動した場合、中国は代替調達を試みると想定されます。その実現可能性について、「国内代替」と「第三国調達」の観点から検証します。

4.1 中国国内メーカーによる代替（内製化）の限界

中国政府は「製造強国2025」や国家IC産業投資基金（ビッグファンド）を通じて、フォトレジストの国産化を強力に推進してきた。主要プレイヤーには、厦門恒坤新材料 (Hengkun New Material)、北京科華微電子 (Beijing Kehua)、南大光電 (Nata Opto-electronic) などがあります。

• 現状の実力: 中国メーカーは、g線、i線といったレガシー向けレジストでは量産実績を持ち、KrFレジストの一部でも採用が進んでいます。
• 先端分野の断絶: しかし、ArF液浸およびEUVレジストに関しては、依然として実験室レベルか、ごく一部の限定的な採用に留まっており、市場シェアは数%以下と推計されます。
• 認証の壁（バリデーション）: 新しい材料を採用するための評価・認証プロセスは極めて厳格であり、通常6ヶ月から18ヶ月を要します。数千億円規模の投資を行ったファブにおいて、実績のないレジストを使用することは許容されません。
• 原材料のボトルネック: 中国のレジストメーカー自身も、その原材料となる樹脂や感光剤を日本からの輸入に依存している構造があります。

4.2 第三国からの調達（欧米メーカー）の可能性

日本以外で有力なフォトレジストメーカーには、米国のDuPont、ドイツのMerckが存在しますが、以下の理由から代替は困難です。

• 米国の壁: 2026年現在、米国は対中半導体規制を極限まで強化しており、SMICやYMTCに対し、米国企業であるDuPontが先端レジストを供給することは法的に困難です。
• 欧州の壁: Merckなどの欧州企業も、先端レジストの製造拠点や開発拠点を日本に置いているケースが多く、日本の輸出管理規制の影響を受ける可能性があります。また、オランダやEU全体が対中規制に動いている中、欧州企業が積極的に日本の穴埋めをするリスクを取る可能性は低いです。

結論: 短期的（6～12ヶ月）には、中国が日本製の先端フォトレジストを質量ともに代替できる手段は存在しません。

5. リスク評価：中国のレアアース・デュアルユース規制の影響

日本のフォトレジスト規制が「攻め」のカードであるなら、中国のレアアース規制は日本にとって最大の「弱点」を突く攻撃です。

5.1 規制の対象と日本の依存度

2026年1月6日の中国商務部の発表による「デュアルユース品目」の対日輸出禁止は、以下の重要物資をターゲットにしていると分析されます。

1. 重希土類（ジスプロシウムDy、テルビウムTb）: 高性能ネオジム磁石に不可欠。EVの駆動モーター、風力発電機、産業用ロボットに使用。日本は供給の90%以上を中国に依存しており、代替ソースが極めて限定的です。
2. ガリウム・ゲルマニウム: パワー半導体、高周波デバイス等。中国が世界シェアの大部分を握ります。
3. 黒鉛（グラファイト）: リチウムイオン電池の負極材。EVバッテリー製造に必須。

5.2 日本経済へのインパクト試算

レアアース、特に重希土類の供給停止は、日本の基幹産業である自動車産業とロボット産業を直撃します。

ただし、2010年の教訓から日本はJOGMECによる戦略備蓄やリサイクル技術を進展させており、フォトレジストの在庫が尽きる中国よりも、日本の方が数ヶ月長く持ちこたえることができる可能性（耐久力の非対称性）があります。

6. 日本の政策決定における法的・企業的側面

6.1 法的枠組み：外為法による規制強化

日本が対中輸出規制を実施する場合、「外国為替及び外国貿易法（外為法）」が根拠となります。リスト規制の拡大による先端フォトレジスト（ArF液浸、EUV用）の追加指定や、キャッチオール規制の運用厳格化（実質的な不許可）が検討されます。

6.2 国内企業への影響とJSRの国有化

フォトレジスト規制の最大の懸念点は、日本企業自身の売上喪失です。JSR、東京応化工業、信越化学にとって中国は重要な市場です。

ここで極めて重要な要素となるのが、2024年4月に完了した産業革新投資機構 (JIC) によるJSRの買収・完全子会社化（非上場化）です。

• 戦略的意義: JICは政府系ファンドであり、JSRは事実上の「国有企業」に近いステータスとなりました。これにより、短期的な利益追求圧力を受けずに、国家の経済安全保障戦略に基づいた経営判断が可能となっています。政府はJSRを通じて、民間企業の抵抗を抑えつつ、戦略的な輸出管理を実行できる体制を整えていると言えます。

7. 総合評価とシナリオ分析

7.1 有効性の判定

結論として、日本のフォトレジスト対中輸出規制は、中国のレアアース規制に対して極めて効果的 (Highly Effective) な対抗措置となります。

• 即効性: フォトレジストの在庫寿命（数ヶ月）はレアアース備蓄（数年）より圧倒的に短く、中国側に先に「音を上げさせる」ことができます。
• 不可欠性: 代替品が存在せず、中国の最重要国家戦略（半導体自給、AI）を根底から崩壊させる威力があります。
• 実行可能性: JSRの国有化により、日本政府は主要プレイヤーをコントロール下に置いています。

7.2 想定されるシナリオ

• シナリオA：抑止による解決（最善）
  日本が規制の準備をチラつかせることで、中国側にレアアース規制の撤回または緩和を迫ります 。相互確証破壊 (MAD) の論理が働き、交渉が行われます。
• シナリオB：報復の連鎖（貿易戦争）
  日本が実際に規制を発動。中国の先端半導体生産は停止し、日本はレアアース不足で自動車産業が混乱します。短期的には双方が痛手を負いますが、長期的には「産業の未来」を失う中国の方がダメージが大きくなります。
• シナリオC：第三国を巻き込んだ封鎖
  日本が米国・オランダと連携し、露光装置の保守サービスやスペアパーツの供給も完全に遮断。中国を「レガシーノード」の国へと封じ込めます。

7.3 結論と提言

日本にとって、フォトレジストは単なる一輸出産品ではなく、国家安全保障上の「戦略物資 (Strategic Asset)」です。中国によるレアアース規制という「実力行使」に対しては、同等以上の破壊力を持つフォトレジスト規制という「実力」を持って対峙することが、唯一有効な抑止策となります。

ただし、実際に発動すれば日本企業への返り血も大きいため、まずは以下の3点を並行して進めることが推奨されます]。

1. JSR等の管理強化: 政府主導での輸出審査厳格化を示唆。
2. 国際連携: 米国・EU（オランダ）との協調による対中包囲網の再確認。
3. 国内支援: レアアース供給途絶に備えた代替調達・リサイクルへの緊急資金投入。

これらを通じて、中国側に対し「日本はフォトレジスト供給を止める準備と覚悟がある」というシグナルを明確に送ることが、事態の沈静化に向けた最も合理的なアプローチであると考えられます。